新型EUVL技术问世，超越半导体制造标准线

日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术

一种无透镜成像的新方法

半导体产业竞速:Hyper-NA EUV光刻机挑战与机遇并存

ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机，将芯片密度限制再缩小

替代EUV光刻，新方案公布！

中国半导体产业的十大技术“瓶颈”解析

ASML创下新的EUV芯片制造密度记录，提出Hyper-NA的激进方案

台积电魏哲家与ASML高层会面，是否有意购买高数值孔径极紫外光机台？

美光将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂，2027年底或将竣工

美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意，未采用高NA EUV光刻机

后门！ASML可远程锁光刻机！

ASML考虑推出通用EUV光刻平台

英特尔竞购High-NA EUV设备，台积电决定回避

台积电A16制程采用EUV光刻机，2026年下半年量产

英特尔推进面向未来节点的技术创新，在2025年后巩固制程领先性

台积电未确定是否采购阿斯麦高数值孔径极紫外光刻机

英特尔正在顺利推进的Intel 20A和Intel 18A两个节点

英特尔完成首台高数值孔径EUV光刻机安装，助力代工业务发展