Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意，未采用高NA EUV光刻机

　　Rapidus Design Solutions首席执行官亨利•理查德近期宣布，该公司首代工艺无需High NA EUV光刻机。

　　据Anandtech报道，理查德对于他们目前使用的0.33N and EUV光刻解决方案在2nm节点上的表现相当满意。

　　在全球四大先进制程代工巨头（包括台积电、三星电子、英特尔以及Rapidus）中，只有英特尔明确表示将使用High NA EUV光刻机进行大规模生产。

　　台积电联席副COO张晓强曾表示，他并不看好ASML High NA EUV光刻机的高昂售价；三星电子的Kang Young Seog研究员也持有相似观点。

　　除了计划于2025年试产、2027年量产的2nm工艺，Rapidus已经开始规划下一阶段的1.4nm工艺。

　　理查德还透露，这家新兴的日本代工厂可能会在1.4nm工艺中选择其他的解决方案（即High NA EUV光刻）。

　　理查德表示，从潜在客户和EDA企业那里得知，整个先进半导体行业正在寻找除台积电以外的第二个独立代工供应商作为替代。

　　与同时拥有自家芯片业务的三星电子和英特尔不同，Rapidus是一家专注于代工服务的企业，这使得它在合作伙伴眼中更加具有吸引力。

　　理查德预计，2nm及以下的高端半导体市场将达到1500亿美元（约合1.09万亿元人民币），因此Rapidus只需要占据较小的市场份额就能取得成功。