日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术

　　近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）发布了一项重大研究报告，宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外（EUV）光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体制造业的标准界限，其设计的光刻设备能够采用更小巧的EUV光源，并且功耗仅为传统EUV光刻机的十分之一，从而实现了能源消耗的显著降低。

　　极紫外光刻技术（EUV lithography）是制造精密芯片的关键技术，它利用极紫外波段的光学特性和材料特性进行工作。然而，在传统光学系统中，如照相机、望远镜以及传统的紫外线光刻技术中，光学元件如光圈和透镜等以轴对称方式排列在一条直线上，这种方法并不适用于EUV射线，因为其波长极短，大部分会被材料吸收。因此，EUV光通常使用月牙形镜子进行引导，但这又会导致光线偏离中心轴，从而牺牲重要的光学特性并降低系统的整体性能。

　　为了解决这一难题，OIST采用了全新的光刻技术。该技术通过将两个具有微小中心孔的轴对称镜子排列在一条直线上，实现了卓越的光学特性。由于EUV的吸收率极高，每次镜子反射都会使能量减弱40%。按照行业标准，只有大约1%的EUV光源能量能够通过10面反射镜最终到达晶圆，这意味着需要非常高的EUV光输出。然而，OIST的新技术将EUV光源到晶圆的反射镜数量限制为总共4面，从而使得超过10%的能量能够穿透到晶圆，进而实现了功耗的显著降低。

　　为了实现这一创新，OIST采用了新的结构设计。其核心投影仪由两个反射镜组成，就像天文望远镜一样，将光掩模图像转移到硅片上。这种新的配置方式更为简洁，相比传统投影仪至少需要6个反射镜来说，具有显著的优势。

　　据悉，这一新的结构设计是通过重新思考光学像差校正理论而实现的，其性能已经通过光学模拟软件得到了验证，完全能够满足先进半导体的生产需求。OIST研究团队将这一设计命名为“双线场”的新型照明光学方法，它使用EUV光从正面照射平面镜光掩模，而不会干扰光路。

　　总体而言，OIST设计的新型极紫外光刻技术在现有技术的基础上实现了显著的改进。这些改进主要体现在以下几个方面：

　　一是能源效率的大幅提高。基于OIST设计的光刻设备可以采用更小巧的EUV光源，其功耗仅为传统EUV光刻机的十分之一。这意味着在相同的生产条件下，新型光刻技术能够显著减少能源消耗，从而提高整体的能源效率。

　　二是成本的降低。由于功耗的大幅度降低，新型光刻技术能够显著降低成本。这不仅包括直接的电费支出减少，还包括设备维护和运行成本的降低，进一步降低了半导体制造的整体成本。

　　三是可靠性和使用寿命的提升。新型光刻技术不仅提高了能源效率和降低了成本，还大幅提升了机器的可靠性和使用寿命。这意味着设备在长期运行中能够保持更高的稳定性和更长的使用周期，从而减少了因设备故障导致的停机时间和维修成本。

　　目前，OIST已经为这一创新技术申请了专利，并有望给全球EUV光刻市场带来巨大的经济效益。根据高盛研究公司此前的分析，EUV光刻技术有望在未来几十年内显著提升全球半导体市场的价值，从目前的6000亿美元增长到更高的水平。