1. 提升放电能量，继续减小可控导通角，即增加R2电阻值，提高放电高压值；
2.这个不是很清楚，不过可以确定可控硅肯定被误触发导通了。
猜测1. 空打时高压包初级振荡电压经D3反向给C3充电，导致可控硅前一次趋于关断后又被导通；
3.频率稳定方案：用高压触发管(放电管)取代可控硅方案,触发电压一般150V左右，即可控硅及辅助电路都去掉，
D3位置放一个高压触发管即可；
1. 提升放电能量，继续减小可控导通角，即增加R2电阻值，提高放电高压值；
2.这个不是很清楚，不过可以确定可控硅肯定被误触发导通了。
猜测1. 空打时高压包初级振荡电压经D3反向给C3充电，导致可控硅前一次趋于关断后又被导通；
3.频率稳定方案：用高压触发管(放电管)取代可控硅方案,触发电压一般150V左右，即可控硅及辅助电路都去掉，
D3位置放一个高压触发管即可；
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