如图，VB接到10~20V,当内部信号拉高HO，HO的电压等于VB的电压，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此时MOSFET导通，VS的电压等于HV.
HV是高电压，我们设定为30V.这导致C5的上极板电压VB小于下极板电压VS，C5不能被10~20V
电源充电.(前提是MOSFET导通时间大于电容充电时间).
因此下一次内部信号拉高HO使得HO=VB时，HO
这个
电路是我们看很多论文用过的，但是感觉很有问题.
C5不能被充电，这个电路就不能驱动MOSFET，我们毕业设计要用到，比较急，
请教大佬！谢谢！
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