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如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？

如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？

回帖（1）

钱敏

2022-2-15 10:42:23
现在有一款产品需要1.005V高电压启动，0.903V低电压运行，这也是从低功耗的角度设计。
下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压，核心板启动之后，输出低电压：

SAR_GPIO1引脚接的MCU 的GPIO口，先上datasheet：


电路上电瞬间，MCU还未启动，SAR_GPIO1处于悬空状态，MOS管Q2由R13上拉到3.3V，此时MOS管处于导通状态，R11和R12并联，并联阻值为R11*R12/(R11+R12) = 75kΩ，即上图的计算公式的R2阻值为75kΩ，根据上图计算可知Vout = 1.05V。
MCU启动之后，使SAR_GPIO1引脚输出低电平，此时MOS管处于截止状态，R12悬空，计算公式的R2的阻值为R11的阻值，100kΩ，Vout=0.6*（1+R1/R2） = 0.6*（1+50k/100k） = 0.9V。
这样就实现了高电压启动，低电压运行的目的。
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