STM32f030
1. FLASH擦写时间

2. FLASH擦写次数和数据保存年限
只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。

STM32F103x8, STM32F103xB
1. FLASH擦写时间和电流

2. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写1万次,保存20年。

STM32F427xx STM32F429xx
1. FLASH擦写电流

2. FLASH擦写时间
编程32bit只要16us,速度提高了近4倍。

3. 使用VPP擦写时间(工厂模式下,64bit)

4. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写次数提高到1万次,基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储,比如1天要变化记录20次,则10000/20=500天,即将面临失效,导致整个产品报废。

STM32f030
1. FLASH擦写时间

2. FLASH擦写次数和数据保存年限
只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。

STM32F103x8, STM32F103xB
1. FLASH擦写时间和电流

2. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写1万次,保存20年。

STM32F427xx STM32F429xx
1. FLASH擦写电流

2. FLASH擦写时间
编程32bit只要16us,速度提高了近4倍。

3. 使用VPP擦写时间(工厂模式下,64bit)

4. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写次数提高到1万次,基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储,比如1天要变化记录20次,则10000/20=500天,即将面临失效,导致整个产品报废。

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