TMR磁传感器的特性及应用

概述
1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻（Magnetoresistance）。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、异向磁阻（AMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。
2、磁阻应用：磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。
3、穿隧磁阻效应（TMR）：穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。TMR效应由于具有磁电阻效应大、磁场灵敏度高等独特优势，从而展示出十分诱人的应用前景。此效应更是磁性随机存取内存(magneticrandomaccessmemory,MRAM)与硬盘中的磁性读写头(readsensors)的科学基础。

　　穿隧磁阻效应（TMR）的物理简释
　　从经典物理学观点看来，铁磁层（F1）+绝缘层（I）+铁磁层（F2）的三明治结构根本无法实现电子在磁层中的穿通，而量子力学却可以完美解释这一现象。当两层铁磁层的磁化方向互相平行，多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，总的隧穿电流较大，此时器件为低阻状态；当两层的磁铁层的磁化方向反平行，情况则刚好相反，即多数自旋子带的电子将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，而少数自旋子带的电子也进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，此时隧穿电流较小，器件为高阻状态。可以看出，隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层磁化强度的相对取向，当磁化方向发生变化时，隧穿电阻发生变化，因此称为隧道磁电阻效应。
　　
　　图1 TMR磁化方向平行和反平行时的双电流模型
　　TMR磁传感器利用磁场变化引起磁电阻变化的原理，因此我们可以通过TMR磁传感器的电阻变化来测算外磁场的变化。实际的TMR磁阻传感器的制作远比铁磁层+绝缘层+铁磁层的三明治结构复杂。基本结构除了铁磁层+绝缘层+铁磁层的三明治结构外，还在上下增加顶电极层（upper contact）和底电极层（lower contact），两层电极直接与相近的磁层接触。底电极层位于绝缘基片（Insulating）上方，绝缘基片要比底电极层要宽，且位于衬底（Substrate）的上方。
　　
　　图2 TMR磁阻传感器的结构

　　TMR磁阻传感器的特性
　　基于磁电阻效应磁信号可以转变为电信号，除了庞磁电阻（CMR）效应受到温度区间和工作磁场的限制而很难应用以外，其他AMR、GMR、TMR三种磁电阻效应都可以应用于磁传感器中。
　　目前，AMR传感器已经大规模应用；GMR传感器正方兴未艾，快速发展。TMR传感技术最早应用于硬盘驱动器读出磁头，大大提高了硬盘驱动器的记录密度。它集AMR的高灵敏度和GMR的宽动态范围优点于一体，因而在各类磁传感器技术中，TMR磁传感器具有无可比拟的技术优势，其各项性能指标均远优于其他类型的传感器，下表1给出了三种效应的传感器技术比较。
　　
　　表1 三种MR传感技术比较
　　由TMR材料制成各种高灵敏度磁传感器，用于检测微弱磁场和对微弱磁场信号进行传感。此类传感器具有体积小、可靠性高、响应范围宽等优势，能满足应对自动化技术、家用电器、商标识别、卫星定位、导航系统以及精密测量技术等方面越来越苛刻的要求。基于TMR技术制成的传感器有以下特点：
　　1、高灵敏度——被检测信号的强度越来越弱，需要磁性传感器灵敏度得到极大提高。应用方面包括电流传感器、角度传感器、齿轮传感器、太空环境测量。
　　（1）电流传感器：需要检测到nA级别的电流，即使加上聚磁环，也需要磁性传感器本身的检测精度达到nT的水平
　　（2）角度传感器：《0.01的分辨率
　　（3）齿轮传感器：齿轮的精细化以及传感器到齿轮的间距的最大化，导致磁性信号变得非常微弱
　　（4）太空环境测量：分辨率《0.015nT
　　（5）基于磁性异常检测的海洋布防等：《0.02pT的检测分辨率
　　2、温度稳定性——更多的应用领域要求传感器的工作环境越来越严酷，这就要求磁传感器必须具有很好的温度稳定性，行业应用包括汽车电子行业。
　　（1）汽车电子行业：从滴水成冰的外部环境到滚烫的发动机内部都必须工作
　　（2）智能电网：可以迎接百年一遇的寒冷，也能坚守在发热严重的封闭体内
　　（3）航空航天领域：在有保护的情况下，工作温度的跨度也是非常大的
　　3、高频特性——随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。
　　（1）水表：可以检测到0.0001m³的即时流量（》 10 kHz）
　　（2）汽车电子行业：部件的精密控制，要求信号的频率越来越高（》 200 kHz）
　　（3）信息记录行业：要求数据传输率 》 1 GHz
　　4、低功耗——很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯片，指南针等等。
　　（1）植入身体内磁性生物芯片
　　（2）使用电池供电的水表/气表，以及微功耗智能电表
　　（3）室外/野外磁性传感器（磁性异常检测仪、电子指南针、手持式磁场探测仪等）
　　（4）航空航天用磁性传感器
　　5、抗干扰性——很多领域里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身具有很好的抗干扰性。包括电子罗盘、金融磁头等。
　　（1）电子罗盘：大多数电路板产生的杂散磁场为地磁场的50倍以上；
　　（2）金融磁头：内部的各种电机产生的磁场的强度为磁性油墨磁场的50倍以上；
　　（3）POS机磁头：手机信号的磁场为磁头磁场的5倍以上；
　　（4）水表、气表等；
　　（5）汽车电子：发动机、运动部件以及各种电线产生磁场的可以在10 Gs以上
　　6、小型化、集成化、智能化——要想做到以上需求，这就需要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成
　　（1）芯片级的集成：传感器 + ASIC数字式输出、标准化输出
　　（2）模块级集成：芯片 + 外部磁铁 + 模具 + 电路基本功能的实现
　　（3）产品级集成：模块 + 产品功能化、智能化

　　TMR技术在电流检测领域的优势
　　电流传感器是能将被测体的电流的信息，按一定规律变换成为符合一定标准需要的电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。
　　目前电流传感器检测技术有很多，常见的有电阻分流器、电流互感器、霍尔电流传感器、磁通门电流传感器、Rogowski线圈，磁阻效应电流传感器，磁致伸缩电流传感器和光线电流传感器等等。其中在现代工业和电子产品，以霍尔为代表的磁传感器应用最为广泛。
　　磁传感器以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数，磁传感器包括霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（Anisotropic Magnetoresistance，AMR）元件或巨磁电阻（Giant Magnetoresistance，GMR）以及穿隧磁阻效应（Tunnel Magnetoresistance，TMR）等元件为敏感元件的传感器。
　　普通器件测量通过器件的电流非常简单，因为电流电平相对较高，为毫安甚至安培级。随着移动智能设备的普及，物联网的应用和生物技术的发展，当今器件工作电流低至微安级甚至更低，因此需要更复杂设备进行测量。以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。
　　TMR（TunnelMagnetoresistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器， TMR技术最初是用在硬盘中磁性读写头上的，因此其对磁场检测的精度、准确度以及寿命可靠性在硬盘中经过了几十年的市场检验。在检测电流时是通过检测铜排和导线上电流所产生的磁场，再通过芯片一定的运算来得到电流大小。相比于之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。TMR元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。下图是四代磁传感技术原理图。
　　
　　图 3 磁传感技术发展历程
　　下表是霍尔元件、AMR元件、GMR元件以及TMR元件的技术参数对比，可以更清楚直观的看到各种技术的优劣。
　　表格2各磁传感器技术参数
　　
　　基于TMR芯片制造的电流传感器在高灵敏度，温度稳定性，抗干扰性，小型化、集成化、智能化和低功耗方面有着出色的表现。作为第四代磁感应技术。灵敏度，分辨率，功耗，温度特性都有10倍以上的提升，并能全芯片级制程控制提供可靠的品质和合理的价格。