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| FRAM | E2PROM | Flash | SRAM | |
| 存储器类别 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 易失性 |
| 晶胞结构*1 | 1T1C/2T2C | 2T | 1T | 6T |
| 数据改写方法 | 覆盖写入 | 擦除+写入 | 扇面擦除+ 写入 | 覆盖写入 |
| 写入循环时间 | 150ns*2 | 5ms | 10µs | 55ns |
| 耐久力 | 最大 1012 （1万亿次循环*3）*2 | 106 （100万次循环） | 105 （10万次循环） | 无限制 |
| 写入操作电流 | 5mA（典型值）*2 15mA（最大值）*2 | 5mA（最大值） | 20mA（最大值） | 8mA（典型值） |
| 待机电流 | 5µA（典型值）*2 50µA（最大值）*2 | 2µA（最大值） | 100µA（最大值） | 0.7µA（典型值） 3µA（最大值） |
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