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[问答]

运放、mos、三级管电路设计问题

各位大佬一起探讨个问题
如附带电路
  实际电路板运行过程中我的TVS管总是在上电瞬间烧坏
  于是开始进行测试
  示波器在LOAD点测上升沿触发,上电瞬间有高电平(最高的时候显示值能有30V),一开始猜测三级管寄生电容导致PMOS管G级上电慢
  开始仿真
  保持运放正输入端1.0V输入,先上24V电,一切正常,LOAD端无输出;再上5V电,此时LOAD端高电平信号出现,回落时间在2S左右;添加测试点至运放输出端1脚,显示上电瞬间测得10V电压(疑问1:因为既没有上升沿也没有下降沿,我怀疑是个开关抖动,但电压值能达到10V,这究竟是怎么来的,正常吗,如何避免);
疑问2:若不是上面的疑问1影响的电路,怎么避免LOAD端在上电瞬间的这个高电平
  • 1562295455(1).png

回帖(2)

loster5

2019-7-5 12:49:35
就TVS管,不知指的具体是哪个,同时还因为后级负载电路看不到,所以不好确定是后级电路引起的还是前级导致;如果是前级的话,就需要看下TVS的击穿电压,同时分析前级电路:
1、不看load,是一个恒流电路;利用恒流特性换算出一个恒压出来。微观上,是对24V的斩波然后进行滤波整形,可以理解为是一个开关稳压电路。这里的话,Q250输出到LOAD这里,最好串一个LC滤波电路,高频滤波很关键(增加小电容,常用0.1uf/0.01uf)
2、Q251这个三极管,应该是想变一下PMOS的栅极电平和逻辑,这里得稍微考虑一下集电极和发射极直接的压降,0.3V的话,很容易让Q250无法工作在饱和区,导致发热比较大。——如果有发热问题的话,建议用专用的MOS驱动IC,确保电路稳定性。
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  • 勾魂精灵: Q251是能正常驱动MOS的,三极管开启时,MOS栅极电压比源极小超过10V了,MOS管正常饱和导通了
  • loster5 回复 勾魂精灵: 验证通过了就OK,实验为准

张璧成

2019-7-6 13:35:25
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