NAND-FLASH S34ML08G1编写和读取不成功

你好
这是第一次在8位配置与s34ml08g1 nand-flash记忆工作。
读数据存储器时总的数据是一样的：b0001000（0x10）。
WP为高，R/B为Vcc（3.3V）。
Pins Vcc（12－37）是3.3V，引脚13-48－25是GND。
为了考试，写一个读了不同的行和列（块，页面和栏目）
这件事有什么暗示吗？
谢谢
哈维尔



     以下为原文
  Hello
    It is the first time working with S34ML08G1 NAND-FLASH memory in 8 bit configuration.
    When reading the data memory always the data is the same: b0001000 (0x10).
    WP is high, R/B# is pull-up to Vcc (3.3V).
    Pins Vcc (12-37) are 3.3V and pins 13-48-25 are gnd.
    For the test, writes an reads are made to different rows and columns (blocks, pages and columns)
    Is any hint about this case?
    Thanks
    Javier