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罗星

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[问答]

反激变换器MOS管的耐压性能的问题

关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。
在网上有看到大概两种说法：
1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏；
2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。
第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于MOS管电压应力部分的能量；
第二种说下自己的理解，路过的大佬帮忙看看是否正确；
先根据下图和自己电路的参数求取结温

再根据结温与击穿电压点的关系求取Vds击穿电压

回帖（7）

贾虎世

2018-12-21 10:47:00

任何时候不要超即可，不要妄图去利用雪崩。

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罗星

2018-12-21 10:47:25

@广州洋钒既然规格书给到参数，合理利用也是可以的吧

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贾虎世

2018-12-21 10:47:46

给出这个参数不是让你去利用的，更多是风险评估的意思。你非要利用的话，只能利用一次，比如去代替保险丝。

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罗星

2018-12-21 10:48:01

怎么说呢...我这边的目的也是用于风险评估的吧...评估MOS管是否会在短暂的异常工作时损坏...目前也就会在短路状态全带宽下超过MOS管的电压应力

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贾虎世

2018-12-21 10:48:23

只能利用一次的意思：一旦触发雪崩机制，下一次该参数降低，再下一次更低。雪崩就是这意思，它是一种累计破坏机制，祸不单行的意思。

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尚文清

2018-12-21 10:48:31

测试平台也会有差异，建议100M也不要超

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王栋春

2018-12-21 23:02:31

学习一下

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