SiGe技术知要
SiGe和CMOS都是当前主流集成电路工艺。而作为一种高于普通硅器件的高频半导体材料，SiGe的应用领域非常广泛，尤其是在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：前置放大器、WLAN功率放大器、低噪声放大器（LNA）等。也正是由于它的高频特性，所以才广泛应用于电子测试产品中。
硅化锗技术具有很多极具吸引力的优点。作为一个硅材料中的“小弟”，SiGe既有硅工艺集成度的成本优势，又具备第3类到第5类半导体（GaAs）和磷化铟（InP）速度方面的优点。SiGe器件的工作频率可高达350GHz，而普通的硅芯片工作频率只能达到几个GHz，而且它的电池速度为变通硅半导体的2到4倍。
SiGe技术知要
SiGe和CMOS都是当前主流集成电路工艺。而作为一种高于普通硅器件的高频半导体材料，SiGe的应用领域非常广泛，尤其是在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：前置放大器、WLAN功率放大器、低噪声放大器（LNA）等。也正是由于它的高频特性，所以才广泛应用于电子测试产品中。
硅化锗技术具有很多极具吸引力的优点。作为一个硅材料中的“小弟”，SiGe既有硅工艺集成度的成本优势，又具备第3类到第5类半导体（GaAs）和磷化铟（InP）速度方面的优点。SiGe器件的工作频率可高达350GHz，而普通的硅芯片工作频率只能达到几个GHz，而且它的电池速度为变通硅半导体的2到4倍。
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