请问F2812的外扩RAM可以最多可以有多大？

chengcheng,
分页机制不可以改变，外扩超过200M我认为不可以。
Eric
                                                                         - ERIC

即使分页机制不能改变，我还是想要外扩大容量的flash或者RAM，可以将大容量的flash或者RAM的低19位地址线接到XINTF上，高位地址线接到普通的 I/O口上，这样就可以寻址大容量的Flash或者RAM了，可行吗？

Chengcheng
c2000的22位的地址总线，最大只能寻址4M。
如果你用普通Io来模拟，我认为不大可以，因为CCS要怎么编译才能够把数据映射到那个地址。
在E2E论坛上看到类似的帖子
http://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/124382.aspx
 
Eric
                                                                         - ERIC

感谢您的回复以及您给的帖子的链接，很受用。F2812外扩的地址线为19位，即最大寻址为512K，我现在将大容量的flash分为很多个512k的模块，使用普通I/O口依次选取使用，只要在程序中设置好各个“块”之间的切换，还有很有可能实现大容量Flash 操作的吧？