功率器件igbt工艺流程图解

　　功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。

　　

　　功率器件IGBT工艺流程

　　

　　1.基板

　　

　　2.B+注入

　　使用离子注入设备

　　

　　3.绝缘膜形成

　　通过CVD形成掩膜

　　

　　4.掩膜用绝缘膜

　　加工

　　通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

　　

　　5.P+注入

　　使用离子注入设备

　　

　　6.形成沟槽

　　通过刻蚀形成沟槽

　　

　　7.形成绝缘膜

　　通过CVD形成绝缘膜

　　

　　8.绝缘膜加工

　　通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

　　

　　9.形成Emitter

　　电极

　　通过溅射或蒸镀形成电极

　　

　　10.形成P+FS层

　　通过离子注入设备形成

　　P+FS层

　　

　　11.形成B+

　　（Collector）

　　通过离子注入设备形成B+（Collector）

　　

　　12.形成

　　Collector

　　通过溅射或蒸镀形成 Collector

　　编辑：黄飞